Barrier Height Studies on Metal‐Semiconductor Systems
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Towards a barrier height benchmark set for biologically relevant systems
We have collected computed barrier heights and reaction energies (and associated model structures) for five enzymes from studies published by Himo and co-workers. Using this data, obtained at the B3LYP/6- 311+G(2d,2p)[LANL2DZ]//B3LYP/6-31G(d,p) level of theory, we then benchmark PM6, PM7, PM7-TS, and DFTB3 and discuss the influence of system size, bulk solvation, and geometry re-optimization on...
متن کاملdesigning unmanned aerial vehicle based on neuro-fuzzy systems
در این پایان نامه، کنترل نرو-فازی در پرنده هدایت پذیر از دور (پهپاد) استفاده شده است ابتدا در روش پیشنهادی اول، کنترل کننده نرو-فازی توسط مجموعه اطلاعات یک کنترل کننده pid به صورت off-line آموزش دیده است و در روش دوم یک کنترل کننده نرو-فازی on-line مبتنی بر شناسایی سیستم توسط شبکه عصبی rbf پیشنهاد شده است. سپس کاربرد این کنترل کننده در پهپاد بررسی شده است و مقایسه ای ما بین کنترل کننده های معمو...
Effect of charge carriers on the barrier height for vacancy formation on InP„110... surfaces
We determine the energy barrier height for the formation of positively charged phosphorus vacancies in InP~110! surfaces using the rate of formation of vacancies measured directly from scanning tunneling microscope images. We found a barrier height in the range of 1.15–1.21 eV. The barrier height decreases with increasing carrier concentration. These results are explained by a charge separation...
متن کاملThe impact of barrier height distributions in tunnel junctions
We demonstrate that including continuous and discrete tunnel barrier height distributions in otherwise traditional tunneling formalisms enables straightforward modeling of several phenomena important to tunneling. Random barrier height inhomogeneities significantly impact the tunneling conductance, as evidenced by ideal tunneling models extracting faulty barrier parameters, with the incurred er...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Applied Physics
سال: 1963
ISSN: 0021-8979,1089-7550
DOI: 10.1063/1.1729121